基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型 8x8 mm LFPAK88 封裝，且具有增強安全工作區(qū)（SOA）的特性。這些新型 ASFET 針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化，可在 175℃ 下工作，適用于先進的電信和計算設備。 

憑借數十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia（安世半導體）推出的這款 PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，在緊湊的 8x8 mm 封裝尺寸中兼顧低 R_DS(on)和強大線性模式（安全工作區(qū)）性能，可滿足嚴苛的熱插拔應用要求。此外，Nexperia（安世半導體）還發(fā)布了一款 80 V ASFET 產品 PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應計算服務器和其他工業(yè)應用中使用 48 V 電源軌的增長趨勢，在這些應用中，環(huán)境條件允許 MOSFET 采用較低的 V_DS 擊穿電壓額定值。 

在熱插拔和軟啟動應用中，具有增強型 SOA 的 ASFET 越來越受市場歡迎。當容性負載引入帶電背板時，這些產品強大的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當 ASFET 完全導通時，低 R_DS(on) 對于最大限度地降低 I²R 損耗也同樣重要。除了 R_DS(on) 更低且封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia（安世半導體）的第三代增強 SOA 技術與前幾代 D²PAK 封裝相比還實現了 10% SOA 性能改進（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為 33 A 和 30 A）。 

Nexperia（安世半導體）的另一項創(chuàng)新在于，用于熱插拔的新型 ASFET 完整標示了 25℃ 和 125℃ 下的 SOA 特性。數據手冊中提供了經過全面測試的高溫下 SOA 曲線，設計工程師無需進行熱降額計算，并顯著擴展了實用的高溫下 SOA 性能。 

到目前為止，適合熱插拔和計算應用的 ASFET 通常采用較大尺寸的 D²PAK 封裝（16x10 mm）。LFPAK88 封裝是 D²PAK 封裝的理想替代選項，空間節(jié)省效率高達 60%。PSMN2R3-100SSE的 R_DS(on)僅為 2.3 mΩ，相較于現有器件至少降低了 40%。

LFPAK88 不僅將功率密度提高了 58 倍，還提供兩倍的 I_D(max) 額定電流以及超低熱阻和電阻。該產品結合了 Nexperia（安世半導體）先進的晶圓和銅夾片封裝技術的功能優(yōu)勢，包括占用空間更小、R_DS(on) 更低以及 SOA 性能更優(yōu)。Nexperia（安世半導體）還提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封裝的 25 V、30 V、80 V 和 100 V ASFET 系列產品，并針對需要更小 PCB 管腳尺寸的低功耗應用進行了優(yōu)化。