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SK海力士開發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊最高容量24GB HBM3 DRAM芯片
2023-04-20 436次

SK海力士官網(wǎng)消息：SK海力士成功開發(fā)出垂直堆疊12個單品DRAM芯片、最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）2的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗證。現(xiàn)有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆疊8個單品DRAM芯片的16GB。

海力士表示此新產(chǎn)品采用了先進(jìn)（Advanced）MR-MUF3和TSV4技術(shù)，通過先進(jìn)MR-MUF技術(shù)加強(qiáng)了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性，又利用TSV技術(shù)將12個比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

 

海力士HBM3 DRAM產(chǎn)品將被主要運(yùn)用于最近大火的人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)。

 

 

 

 

HBM是High Bandwidth Memory的縮寫，即高帶寬存儲器，是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合，如圖形處理器、網(wǎng)上交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開發(fā)。

 

 

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