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  續(xù)航能力有限造成的“里程焦慮”這是許多客戶選擇電動汽車的一個障礙。提高電池密度和能量轉(zhuǎn)換過程的效率是提高車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效的一個特別重要的關鍵領域是主驅(qū)動逆變器，它將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的交流驅(qū)動，以供電。

  在這篇技術文章中，我們討論VE-Trac?IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何使電池密度更高，提供更有效的轉(zhuǎn)換過程，從而提高電動汽車的耐久性，從而幫助克服客戶的擔憂。

  主驅(qū)動逆變器是連接電池和主驅(qū)動電機的電動汽車的核心。它們將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為電機所需的交流驅(qū)動，功率水平一般為80KW150多千瓦。電池電壓基于電池組大小，一般為4000千瓦。V但在直流電壓范圍內(nèi)，但在800V直流電壓越來越普遍，以顯著降低電流，從而減少消耗。

  盡管鋰離子(Li-Ion)電池成本在過去三年中降低了40%，或者在過去十年中降低了90%，但它仍然是電池汽車的最高成本。降價軌跡預計將持續(xù)到2025年，價格將保持穩(wěn)定。鑒于這一成本，首要任務是盡可能有效地利用每個焦耳的儲存能量，以降低電池組的成本和尺寸。

  這種動力驅(qū)動提供了極高的扭矩和加速度。逆變器和電機組合的反應能力直接關系到汽車“感知”因此，也與消費者的駕駛體驗和滿意度有關。

  開關器件的功效

  主驅(qū)逆變器一般包含三個半橋元件，每個半橋元件由一對組成MOSFET或IGBT組成，稱為上橋和下橋開關。每個電機相位有一個半橋，共有三個，每個開關裝置由柵極驅(qū)動器控制。

圖1:主驅(qū)逆變器概覽

  開關的主要功能是打開和關閉高壓電池的DC電壓和電流，為促進汽車電機提供交流驅(qū)動。這是一個高要求的應用程序，因為它工作在高電壓、高電流和高工作溫度條件下，而800V可提供2000多個電池KW的功率。

  基于400 V電池系統(tǒng)的主驅(qū)逆變器要求功率半導體裝置VDS額定值在650 V至750 V之間，而800 V方案將VDS額定值要求提高到12000V。在典型的應用中，這些功率器件還必須處理30秒(s)的超過600A峰值交流電流，持續(xù)約1ms(ms)最大交流電流1600A。

  此外，開關晶體管和用于該裝置的柵極驅(qū)動器必須能夠處理這些大負荷，并保持主驅(qū)逆變器的高能效。

  IGBT一直是主驅(qū)逆變器應用的首選器件，因為它們可以處理高電壓，快速開關，帶來高能效的工作，并滿足汽車行業(yè)具挑戰(zhàn)性的成本目標。

  開關和功率密度

  現(xiàn)代汽車極為擁擠——至少含技術的空間是如此。這說明功率密度是個重要參數(shù)，動力總成的功率密度尤為重要。物理尺寸(和重量)必須最小化，因為任何重量都會導致車輛續(xù)航能力降低。

  除了元器件的物理尺寸外，設計的能效也是主要的驅(qū)動因素。能效越高，產(chǎn)生的熱量就越少，逆變器的結(jié)構就越緊湊。

  開關(無論是IGBT還是MOSFET)對產(chǎn)生熱量的損耗有最重要的影響。較低的導通電阻(RDS(ON))值可減少靜態(tài)損耗，而柵極電荷(Qg)的改進可減少動態(tài)或開關損耗，使系統(tǒng)的開關速度加快。如果開關速度更快，那么就可以大大減小磁鐵等無源元件的尺寸，從而提高功率密度。

  開關的最高工作溫度也會影響功率密度，因為如果器件能在更高的溫度下工作，需要的冷卻就更少，從而進一步減少設計的尺寸和重量。

模塊化方案增加功率密度

  在許多主驅(qū)逆變器的設計中，關鍵器件通常是單獨的分立封裝，雖然這是個非常有效的方法，但它不一定能提供最緊湊或最高功率密度的設計。

  另一種方法是使用預配置的模塊來構成主驅(qū)逆變器所需的半橋。安森美(onsemi)的VE-Trac功率集成模塊(PIM)就是這樣一種方案，它專用于汽車功能電子化應用，包括逆變器。

  VE-Trac Dual電源模塊在一個半橋架構中集成了一對1200 V超場截止(UFS)IGBT。這些器件采用了穩(wěn)定可靠且經(jīng)過驗證的溝槽(Trench) UFS IGBT技術，提供高電流密度、穩(wěn)定可靠的短路保護以及800 V電池應用所需的更高阻斷電壓。該智能IGBT集成了電流和溫度傳感器，使其具有獨特的優(yōu)勢，并對過電流(OCP)和過溫度等保護功能提供更快的反應時間，從而提供一個更穩(wěn)定可靠的方案。

  這些芯片被封裝好，安裝在具有4.2 kV(基本)絕緣能力的Al2O3覆銅基板(DBC substrate)，兩側(cè)都有銅和冷卻性能。沒有線邦定的模塊比含有線邦定的類似外殼模塊預期壽命增加一倍。將該IGBT和一個二極管共同封裝，可以減少功率損耗和實現(xiàn)軟開關，從而提高整體能效。

  VE-Trac Dual模塊將裸芯片封裝在一個小巧的尺寸中，更易于集成到緊湊的設計中。高效的工作、低損耗和雙面水冷確保輕松實現(xiàn)熱管理，同時持續(xù)工作在175°C允許向牽引電機提供更高的峰值功率。

  主驅(qū)逆變器的每一相通常需要一個VE-Trac Dual模塊，其機械設計本身可用于多相應用，提供簡單的可擴展性，包括將模塊并聯(lián)以在每個單相提供更多的功率。

  雖然基于IGBT的VE-Trac模塊足以滿足大多數(shù)汽車應用的要求，但基于SiC MOSFET的增強版也可用于最高要求的應用。這款產(chǎn)品采用了最新的寬禁帶(WBG)技術，進一步減小主驅(qū)逆變器設計的尺寸并提高能效。

  總結(jié)

  讓電動車在兩次充電之間行駛得更遠是我們當前的一大技術挑戰(zhàn)。由于政府要求，且人們期望改善環(huán)境，這些車輛將在未來幾年內(nèi)被迅速采用。

  如果減輕消費者的“續(xù)航里程焦慮”，電動車會更有吸引力，那么采用的速度會更快。實現(xiàn)這的最佳途徑是提高能效，這不僅延長續(xù)航里程，還增加功率密度和提升可靠性。

  半導體開關是實現(xiàn)高能效的關鍵，雖然分立器件具有出色的性能，但最好的方案是專為汽車應用而設計的PIM，如安森美的VE-Trac模塊。這些基于IGBT的設計提供所需的高能效、高性能和可擴展性，外形小巧，簡化了熱設計。