工業(yè)級增強(qiáng)型APM32F051R8T6 MCU，基于 Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核，工作頻率可達(dá) 48MHz，內(nèi)置高速存儲器Flash 16-64KB，SRAM 8KB，是在APM32F051R8T6的基礎(chǔ)上對產(chǎn)品性能進(jìn)行全面優(yōu)化升級。新增電容觸摸功能TSC，在復(fù)雜工況中可精準(zhǔn)識別觸控輸入;內(nèi)置HDMI CEC接口，滿足智能終端的高級控制應(yīng)用需求。具有集成度高、可移植性好、兼容性廣、擴(kuò)展控制功能強(qiáng)等性能特點(diǎn)。溫度等級: -40℃~+105℃。

　　APM32F030K8T6芯片是基于Arm Cortex -M0+內(nèi)核的32位高性能微控制 器，工作頻率可達(dá)48MHZ內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和8K字節(jié)的 SRAm),芯片管腳復(fù)用了大量增強(qiáng)的外設(shè)和1O。所有芯片都提供標(biāo)準(zhǔn)的通信接 口：12c接口、SP接口、USART 接口。

　　APM32F030K8T6微控制器工作的溫度范圍為：-40℃~+105℃，電壓范圍為： 2.0~3.6V,多個省電模式保證了低功耗應(yīng)用的要求。

　　APM32F030K8T6微控制器包括從32、48、64個引腳的多種不同封裝形式，不 同的封裝形式使得器件中的外設(shè)配置也不盡相同。

　　工業(yè)級擴(kuò)展型APM32F072RBT6，基于Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核，內(nèi)嵌12位DAC和可編程模擬比較器，可提供無需外接晶振的高性價(jià)比USB方案，支持USB和CAN同時(shí)使用，有利于拓展工控、汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用場景;具有多達(dá)24個電容感應(yīng)通道，用戶無需增加專用觸摸芯片，即可與接近、觸鍵、線性或旋轉(zhuǎn)傳感器配合提供電容式觸摸感應(yīng)功能;硬件支持HDMI CEC功能，可滿足音視頻智能終端設(shè)備的高級控制需求。

　　工業(yè)級增強(qiáng)型APM32F051C8T6 MCU，基于 Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核，工作頻率可達(dá) 48MHz，內(nèi)置高速存儲器Flash 16-64KB，SRAM 8KB，是在APM32F051C8T6的基礎(chǔ)上對產(chǎn)品性能進(jìn)行全面優(yōu)化升級。新增電容觸摸功能TSC，在復(fù)雜工況中可精準(zhǔn)識別觸控輸入;內(nèi)置HDMI CEC接口，滿足智能終端的高級控制應(yīng)用需求。具有集成度高、可移植性好、兼容性廣、擴(kuò)展控制功能強(qiáng)等性能特點(diǎn)。溫度等級: -40℃~+105℃。

　　APM32F103VBT6芯片是基于ARM Cortex -3內(nèi)核的32位微處理 器，最高工作頻率96MH內(nèi)建AHB高性能總線，結(jié)合高速存儲器及DMA可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的快 速處理和存儲。內(nèi)建APB高級外設(shè)總線，擴(kuò)展了豐富的外設(shè)及增強(qiáng)型1/O,保障了連接的快 速性和控制的靈活性。芯片內(nèi)部配備強(qiáng)大的FPU浮點(diǎn)運(yùn)算處理單元，支持單精度數(shù)據(jù)處理指 令和數(shù)據(jù)類型。

　　APM32F103VBT6內(nèi)置高達(dá)128K字節(jié)的閃存存儲器和20K字節(jié)的SRAM存儲器，所有型號都包含2個12位的 ADC、3個通用16位定時(shí)器、1個高級控制定時(shí)器和1個溫度傳感器，還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的 通信接口：2個C接口、2個Sp接口、1個Qs接口、3個USART 接口、1個uSB2.0 接口和1個cn2.0B接口，USB與CAN可同時(shí)獨(dú)立工作。

　　APM32F030R8T6芯片是基于Arm Cortex -M0+內(nèi)核的32位高性能微控制 器，工作頻率可達(dá)48MH乙內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和8K字節(jié)的 SRAM),芯片管腳復(fù)用了大量增強(qiáng)的外設(shè)和1O。所有芯片都提供標(biāo)準(zhǔn)的通信接 口：12c接口、接口、USART 接口

　　APM32F030R8T6微控制器工作的溫度范圍為：-40℃~+105C,電壓范圍為： 2.0~3.6V,多個省電模式保證了低功耗應(yīng)用的要求。

　　APM32F030R8T6微控制器包括從32、48、64個引腳的多種不同封裝形式，不 同的封裝形式使得器件中的外設(shè)配置也不盡相同。

　　APM32F030K6T6芯片是基于 Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核的 32 位高性能微控制器，工作頻率可達(dá) 48MHz。內(nèi)置高速存儲器(高達(dá) 64K 字節(jié)的閃存和 8K 字節(jié)的 SRAM)，芯片管腳復(fù)用了大量增強(qiáng)的外設(shè)和 I/O。所有芯片都提供標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：I2C 接口、SPI 接口、USART 接口。APM32F030K6T6微控制器工作時(shí)的環(huán)境溫度范圍為：-40℃~+105℃，電壓范圍為：2.0~3.6V，多個省電模式保證了低功耗應(yīng)用的要求。 APM32F030K6T6微控制器包括從 32、48、64 個引腳的多種不同封裝形式，不同的封裝形式使得器件中的外設(shè)配置也不盡相同。

　　APM32E103RET6工業(yè)級增強(qiáng)型系列MCU，產(chǎn)品基于32 位Arm? Cortex?-M3內(nèi)核內(nèi)核架構(gòu)，運(yùn)算頻率可達(dá)120MHz，供電電壓在2.0V~3.6V，其工作溫度范圍可覆蓋-40℃～+105℃，幫助產(chǎn)品在工業(yè)級溫度場景下穩(wěn)定運(yùn)行。芯片ESD等級達(dá)5KV，滿足工業(yè)級高可靠性的產(chǎn)品性能標(biāo)準(zhǔn)需求。 APM32E103RET6新品配置了豐富的片上資源，能夠以最合理的功能、高性價(jià)比的特點(diǎn)為用戶的應(yīng)用場景帶來更好的選擇。

　　APM32F103ZET6增強(qiáng)型系列產(chǎn)品工作的溫度范圍為：-40℃-+105°C,電壓范圍為：2.0V-3.6V, 一系列的省電模式保證了低功耗應(yīng)用的要求。

　　APM32F103ZET6增強(qiáng)型系列產(chǎn)品提供包括從64腳至144腳的3種不同封裝形式;根據(jù)不同的 封裝形式，器件中的外設(shè)配置不盡相同。

　　APM32F103ZET6芯片是基于ARM Cortex -M3內(nèi)核的32位微處理器，工作頻率最高為 96MHZ,內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)512Kbytes的閃存和128Kbytes 的SRAM),大量的增強(qiáng)型/0端口和聯(lián)接 到2個APB總線的外設(shè)。芯片內(nèi)部配備強(qiáng)大的FPU浮點(diǎn)運(yùn)算處理單元，支持單精度數(shù)據(jù)處理指令 和數(shù)據(jù)類型。所有型號的器件都包含3個12位的ADC、4個通用16位定時(shí)器和2個PWM定時(shí) 器，2個基本定時(shí)器，還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口：2個12C接口、3個SP1接口、2個12S接口、 1個SDO接口、5個USART 接口、1個USB接口和1個CAN接口。

　　APM32E103VET6工業(yè)級增強(qiáng)型系列MCU，產(chǎn)品基于32 位Arm? Cortex?-M3內(nèi)核內(nèi)核架構(gòu)，運(yùn)算頻率可達(dá)120MHz，供電電壓在2.0V~3.6V，其工作溫度范圍可覆蓋-40℃～+105℃，幫助產(chǎn)品在工業(yè)級溫度場景下穩(wěn)定運(yùn)行。芯片ESD等級達(dá)5KV，滿足工業(yè)級高可靠性的產(chǎn)品性能標(biāo)準(zhǔn)需求。APM32E103VET6新品配置了豐富的片上資源，能夠以最合理的功能、高性價(jià)比的特點(diǎn)為用戶的應(yīng)用場景帶來更好的選擇。