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WINBOND華邦電子成立于1987年9月,總部座落于臺(tái)灣中部科學(xué)園,是全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商,WINBOND華邦主要業(yè)務(wù)包含產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓制造、營(yíng)銷及售后服務(wù),提供客戶全方位的利基型內(nèi)存解決方案。WINBOND華邦核心產(chǎn)品包含編碼型閃存(Code Storage Flash Memory)、TrustME? 安全閃存、利基型內(nèi)存(Specialty DRAM)及行動(dòng)內(nèi)存(Mobile DRAM),WINBOND華邦電子是臺(tái)灣唯一同時(shí)具備DRAM和Flash自有開(kāi)發(fā)技術(shù)的廠商。
W25Q128JVSIQ串行NOR閃存是一種128M位存儲(chǔ)解決方案,專為空間、引腳和電源要求有限的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。與普通串行閃存設(shè)備相比,它提供了卓越的靈活性和性能,是將代碼隱藏到RAM、直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇。
W25Q128JWSIQ是128M位串行閃存,旨在為空間、引腳和電源要求有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。作為25Q系列的一部分,它提供了超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能,是將代碼隱藏到RAM、直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇。
W25Q16JVSSIQ是16M位串行閃存產(chǎn)品是一種創(chuàng)新的存儲(chǔ)解決方案,適用于空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)。該串行NOR閃存設(shè)備屬于25Q系列,通過(guò)提供強(qiáng)大的靈活性和性能,其性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)閃存設(shè)備。
W25Q256FVEIG(256M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。25Q系列提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。它們非常適合將代碼隱藏到RAM,直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼,并存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備在單個(gè)2.7V至3.6V電源上運(yùn)行,活動(dòng)電流消耗低至4mA,斷電時(shí)低至1pA。
W25Q256JVEIQ是由Winbond開(kāi)發(fā)的256M位串行NOR閃存,旨在為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。這款創(chuàng)新設(shè)備是25Q系列的一部分,其靈活性和性能超過(guò)了普通串行閃存設(shè)備。W25Q256JV是將代碼隱藏到RAM、從雙/四路SPI(XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇,它在單個(gè)2.7V至3.6V電源上運(yùn)行,斷電時(shí)電流消耗低至1μa。
W25Q32JVSSIQ是由Winbond開(kāi)發(fā)的32M位串行NOR閃存設(shè)備,為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。它屬于25Q系列,提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。
W25Q64JVSSIQ是由Winbond開(kāi)發(fā)的64M位串行NOR閃存設(shè)備,為空間、引腳和電源要求有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。這種高性能設(shè)備非常適合應(yīng)用程序,如RAM的代碼陰影、直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。
W25Q64JVSSIQ是由Winbond開(kāi)發(fā)的64M位串行NOR閃存設(shè)備,為空間、引腳和電源要求有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。這種高性能設(shè)備非常適合應(yīng)用程序,如RAM的代碼陰影、直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。
W29N02GVSIAA(2G位)NAND閃存為空間、引腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。它非常適合將代碼隱藏到RAM、固態(tài)應(yīng)用程序和存儲(chǔ)媒體數(shù)據(jù),如語(yǔ)音、視頻、文本和照片。該設(shè)備在2.7V至3.6V的單一電源上工作,在3V和10uA的CMOS待機(jī)電流下,有源電流消耗低至25mA。存儲(chǔ)器陣列總計(jì)276824064個(gè)字節(jié),并被組織成135168個(gè)字節(jié)的2048個(gè)可擦除塊。
W9825G6KH-6I是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM),組織為4M個(gè)字x4個(gè)存儲(chǔ)體x16位。W9825G6KH可提供高達(dá)每秒200M字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。